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IS61NVP51236-250B3-TR

Artikelnummer : IS61NVP51236-250B3-TR
Hersteller / Marke : ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Beschreibung : IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA
RoHS Status : Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 4645 pcs
Datenblätte IS61NVP51236-250B3-TR.pdf
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite -
Spannungsversorgung 2.375 V ~ 2.625 V
Technologie SRAM - Synchronous
Supplier Device-Gehäuse 165-TFBGA (13x15)
Serie -
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 165-TBGA
Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 3 (168 Hours)
Speichertyp Volatile
Speichergröße 18Mb (512K x 36)
Speicherschnittstelle Parallel
Speicherformat SRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung SRAM - Synchronous Memory IC 18Mb (512K x 36) Parallel 250MHz 2.6ns 165-TFBGA (13x15)
Uhrfrequenz 250MHz
Zugriffszeit 2.6ns
ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) Bilder dienen nur als Referenz. Siehe Produktspezifikationen für Produktdetails.
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