Artikelnummer : | IS61NVP51236-200B3LI-TR |
---|---|
Hersteller / Marke : | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
Beschreibung : | IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA |
RoHS Status : | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 5183 pcs |
Datenblätte | IS61NVP51236-200B3LI-TR.pdf |
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | - |
Spannungsversorgung | 2.375 V ~ 2.625 V |
Technologie | SRAM - Synchronous |
Supplier Device-Gehäuse | 165-TFBGA (13x15) |
Serie | - |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | 165-TBGA |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 3 (168 Hours) |
Speichertyp | Volatile |
Speichergröße | 18Mb (512K x 36) |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Speicherformat | SRAM |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung | SRAM - Synchronous Memory IC 18Mb (512K x 36) Parallel 200MHz 3.1ns 165-TFBGA (13x15) |
Uhrfrequenz | 200MHz |
Zugriffszeit | 3.1ns |