Artikelnummer : |
IS61NVP51236-200B3I-TR |
Hersteller / Marke : |
ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
Beschreibung : |
IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA |
RoHS Status : |
Enthält Blei / RoHS nicht konform |
Verfügbare Menge |
5160 pcs |
Datenblätte |
1.IS61NVP51236-200B3I-TR.pdf2.IS61NVP51236-200B3I-TR.pdf |
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite |
- |
Spannungsversorgung |
2.375 V ~ 2.625 V |
Technologie |
SRAM - Synchronous |
Supplier Device-Gehäuse |
165-TFBGA (13x15) |
Serie |
- |
Verpackung |
Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse |
165-LFBGA |
Betriebstemperatur |
-40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) |
3 (168 Hours) |
Speichertyp |
Volatile |
Speichergröße |
18Mb (512K x 36) |
Speicherschnittstelle |
Parallel |
Speicherformat |
SRAM |
Bleifreier Status / RoHS-Status |
Contains lead / RoHS non-compliant |
detaillierte Beschreibung |
SRAM - Synchronous Memory IC 18Mb (512K x 36) Parallel 200MHz 3.1ns 165-TFBGA (13x15) |
Uhrfrequenz |
200MHz |
Zugriffszeit |
3.1ns |