Artikelnummer : | MURTA200120R |
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Hersteller / Marke : | GeneSiC Semiconductor |
Beschreibung : | DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER |
RoHS Status : | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 383 pcs |
Datenblätte | MURTA200120R.pdf |
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.6V @ 100A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 1200V |
Supplier Device-Gehäuse | Three Tower |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Verpackung | Bulk |
Verpackung / Gehäuse | Three Tower |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 4 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Diodentyp | Standard |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Anode |
detaillierte Beschreibung | Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 1200V 100A Chassis Mount Three Tower |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 25µA @ 1200V |
Strom - Richt (Io) (pro Diode) | 100A |