| Artikelnummer : | MURT40010R |
|---|---|
| Hersteller / Marke : | GeneSiC Semiconductor |
| Beschreibung : | DIODE MODULE 100V 400A 3TOWER |
| RoHS Status : | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 408 pcs |
| Datenblätte | 1.MURT40010R.pdf2.MURT40010R.pdf |
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 200A |
| Spannung - Sperr (Vr) (max) | 100V |
| Supplier Device-Gehäuse | Three Tower |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 125ns |
| Verpackung | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse | Three Tower |
| Andere Namen | MURT40010RGN |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 4 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Diodentyp | Standard |
| Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Anode |
| detaillierte Beschreibung | Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 100V 400A (DC) Chassis Mount Three Tower |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 25µA @ 50V |
| Strom - Richt (Io) (pro Diode) | 400A (DC) |
GeneSiC Semiconductor
