Zuhause Produkte Diskrete Halbleiter-Produkte Transistoren-bipolare (BJT)-ArraysHN1A01F-GR(TE85L,F

HN1A01F-GR(TE85L,F

Artikelnummer :	HN1A01F-GR(TE85L,F
Hersteller / Marke :	Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :	TRANS 2PNP 50V 0.15A SM6
RoHS Status :	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	4985 pcs
Datenblätte	HN1A01F-GR(TE85L,F.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 10mA, 100mA
Transistor-Typ	2 PNP (Dual)
Supplier Device-Gehäuse	SM6
Serie	-
Leistung - max	300mW
Verpackung	Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse	SC-74, SOT-457
Andere Namen	HN1A01F-GR(TE85LFCT
Betriebstemperatur	125°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang	80MHz
detaillierte Beschreibung	Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 150mA 80MHz 300mW Surface Mount SM6
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	200 @ 2mA, 6V
Strom - Collector Cutoff (Max)	100nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)	150mA

Toshiba Semiconductor and Storage Bilder dienen nur als Referenz. Siehe Produktspezifikationen für Produktdetails.
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