| Artikelnummer : | EPC8010ENGR |
|---|---|
| Hersteller / Marke : | EPC |
| Beschreibung : | TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE |
| RoHS Status : | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 1834 pcs |
| Datenblätte | EPC8010ENGR.pdf |
| Spannung - Prüfung | 55pF @ 50V |
| Spannung - Durchschlag | Die |
| VGS (th) (Max) @ Id | 160 mOhm @ 500mA, 5V |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Serie | eGaN® |
| RoHS Status | Tray |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7A (Ta) |
| Polarisation | - |
| Andere Namen | 917-EPC8010ENGR EPC8010ENGJ |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer | EPC8010ENGR |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 0.48nC @ 5V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5V @ 250µA |
| FET-Merkmal | N-Channel |
| Expanded Beschreibung | N-Channel 100V 2.7A (Ta) Surface Mount Die |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | - |
| Beschreibung | TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 100V |
| Kapazitätsverhältnis | - |
EPC
