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EPC8004

Artikelnummer : EPC8004
Hersteller / Marke : EPC
Beschreibung : TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE
RoHS Status : Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 11119 pcs
Datenblätte 1.EPC8004.pdf2.EPC8004.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Vgs (Max) +6V, -4V
Technologie GaNFET (Gallium Nitride)
Supplier Device-Gehäuse Die
Serie eGaN®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110 mOhm @ 500mA, 5V
Verlustleistung (max) -
Verpackung Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse Die
Andere Namen 917-1072-1
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 12 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 52pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.45nC @ 5V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40V
detaillierte Beschreibung N-Channel 40V 2.7A (Ta) Surface Mount Die
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.7A (Ta)
EPC8004
EPC EPC Bilder dienen nur als Referenz. Siehe Produktspezifikationen für Produktdetails.
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