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APTGT35H120T3G

Artikelnummer :	APTGT35H120T3G
Hersteller / Marke :	Microsemi
Beschreibung :	IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3
RoHS Status :	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	855 pcs
Datenblätte	1.APTGT35H120T3G.pdf 2.APTGT35H120T3G.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	1200V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 35A
Supplier Device-Gehäuse	SP3
Serie	-
Leistung - max	208W
Verpackung / Gehäuse	SP3
Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
NTC-Thermistor	Yes
Befestigungsart	Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit	32 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingangskapazität (Cíes) @ VCE	2.5nF @ 25V
Eingang	Standard
IGBT-Typ	Trench Field Stop
detaillierte Beschreibung	IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 1200V 55A 208W Chassis Mount SP3
Strom - Collector Cutoff (Max)	250µA
Strom - Kollektor (Ic) (max)	55A
Konfiguration	Full Bridge Inverter

Microsemi Bilder dienen nur als Referenz. Siehe Produktspezifikationen für Produktdetails.
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