| Artikelnummer : | APTGT35DA120D1G |
|---|---|
| Hersteller / Marke : | Microsemi |
| Beschreibung : | IGBT 1200V 55A 205W D1 |
| RoHS Status : | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 4095 pcs |
| Datenblätte | APTGT35DA120D1G.pdf |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 1200V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 35A |
| Supplier Device-Gehäuse | D1 |
| Serie | - |
| Leistung - max | 205W |
| Verpackung / Gehäuse | D1 |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| NTC-Thermistor | No |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingangskapazität (Cíes) @ VCE | 2.5nF @ 25V |
| Eingang | Standard |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| detaillierte Beschreibung | IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 55A 205W Chassis Mount D1 |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 5mA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 55A |
| Konfiguration | Single |
