Artikelnummer : | W9412G6JH-4 |
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Hersteller / Marke : | Winbond Electronics Corporation |
Beschreibung : | IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II |
RoHS Status : | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 4391 pcs |
Datenblätte | W9412G6JH-4.pdf |
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 12ns |
Spannungsversorgung | 2.4 V ~ 2.7 V |
Technologie | SDRAM - DDR |
Supplier Device-Gehäuse | 66-TSOP II |
Serie | - |
Verpackung | Tray |
Verpackung / Gehäuse | 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 3 (168 Hours) |
Speichertyp | Volatile |
Speichergröße | 128Mb (8M x 16) |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Speicherformat | DRAM |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung | SDRAM - DDR Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 250MHz 48ns 66-TSOP II |
Uhrfrequenz | 250MHz |
Zugriffszeit | 48ns |