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UNR421D00A

Artikelnummer : UNR421D00A
Hersteller / Marke : Panasonic
Beschreibung : TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1
RoHS Status : Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 3976 pcs
Datenblätte UNR421D00A.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse NS-B1
Serie -
Widerstand - Emitterbasis (R2) 10 kOhms
Widerstand - Basis (R1) 47 kOhms
Leistung - max 300mW
Verpackung Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse NS-B1
Andere Namen UNR421D00ACT
Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang 150MHz
detaillierte Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 300mW Through Hole NS-B1
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 30 @ 5mA, 10V
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA
UNR421D00A
Panasonic Panasonic Bilder dienen nur als Referenz. Siehe Produktspezifikationen für Produktdetails.
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