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UMB2NFHATN

Artikelnummer : UMB2NFHATN
Hersteller / Marke : LAPIS Semiconductor
Beschreibung : PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORR
RoHS Status : Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 616909 pcs
Datenblätte 1.UMB2NFHATN.pdf2.UMB2NFHATN.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) -
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor-Typ 2 PNP Pre-Biased (Dual)
Supplier Device-Gehäuse UMT6
Serie Automotive, AEC-Q101
Leistung - max 150mW
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Andere Namen UMB2NFHATNTR
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 7 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang 250MHz
detaillierte Beschreibung Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP Pre-Biased (Dual) 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 68 @ 5mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max) -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA
LAPIS Semiconductor Bilder dienen nur als Referenz. Siehe Produktspezifikationen für Produktdetails.
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