Zuhause Produkte Diskrete Halbleiter-Produkte Transistoren-bipolare (BJT)-ArraysULN2003V12T16-13

ULN2003V12T16-13

Artikelnummer :	ULN2003V12T16-13
Hersteller / Marke :	Diodes Incorporated
Beschreibung :	IC PWR RELAY N-CHAN 1:1 16TSSOP
RoHS Status :	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	230662 pcs
Datenblätte	ULN2003V12T16-13.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	1.6V @ 500µA, 350mA
Transistor-Typ	7 NPN Darlington
Supplier Device-Gehäuse	16-TSSOP
Serie	-
Leistung - max	-
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Andere Namen	ULN2003V12T16-13DITR
Betriebstemperatur	-40°C ~ 125°C (TJ)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	3 (168 Hours)
Hersteller Standard Vorlaufzeit	16 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang	-
detaillierte Beschreibung	Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA 16-TSSOP
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	-
Strom - Collector Cutoff (Max)	50µA
Strom - Kollektor (Ic) (max)	500mA

Diodes Incorporated Bilder dienen nur als Referenz. Siehe Produktspezifikationen für Produktdetails.
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