Artikelnummer : | STD80N10F7 |
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Hersteller / Marke : | STMicroelectronics |
Beschreibung : | MOSFET N-CH 100V 70A DPAK |
RoHS Status : | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 26414 pcs |
Datenblätte | STD80N10F7.pdf |
VGS (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | DPAK |
Serie | DeepGATE™, STripFET™ VII |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 40A, 10V |
Verlustleistung (max) | 85W (Tc) |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Andere Namen | 497-14812-2 STD80N10F7-ND |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3100pF @ 50V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
detaillierte Beschreibung | N-Channel 100V 70A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount DPAK |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 70A (Tc) |