Artikelnummer : | SI5903DC-T1-GE3 |
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Hersteller / Marke : | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Beschreibung : | MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8 |
RoHS Status : | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 5678 pcs |
Datenblätte | SI5903DC-T1-GE3.pdf |
VGS (th) (Max) @ Id | 600mV @ 250µA (Min) |
Supplier Device-Gehäuse | 1206-8 ChipFET™ |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 155 mOhm @ 2.1A, 4.5V |
Leistung - max | 1.1W |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | 8-SMD, Flat Lead |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
Typ FET | 2 P-Channel (Dual) |
FET-Merkmal | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
detaillierte Beschreibung | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.1A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 2.1A |
Basisteilenummer | SI5903 |