Artikelnummer : | RN2318(TE85L,F) |
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Hersteller / Marke : | Toshiba Semiconductor and Storage |
Beschreibung : | TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM |
RoHS Status : | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 1306212 pcs |
Datenblätte | RN2318(TE85L,F).pdf |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Transistor-Typ | PNP - Pre-Biased |
Supplier Device-Gehäuse | USM |
Serie | - |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
Widerstand - Basis (R1) | 47 kOhms |
Leistung - max | 100mW |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | SC-70, SOT-323 |
Andere Namen | RN2318(TE85LF) RN2318(TE85LF)-ND RN2318(TE85LF)TR RN2318TE85LF |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 16 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang | 200MHz |
detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount USM |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 50 @ 10mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA |
Basisteilenummer | RN231* |