Artikelnummer : | RGTV00TK65DGC11 |
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Hersteller / Marke : | LAPIS Semiconductor |
Beschreibung : | 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT |
RoHS Status : | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 10799 pcs |
Datenblätte | RGTV00TK65DGC11.pdf |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 650V |
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 50A |
Testbedingung | 400V, 50A, 10 Ohm, 15V |
Td (ein / aus) bei 25 ° C | 41ns/142ns |
Schaltenergie | 1.17mJ (on), 940µJ (off) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-3PFM |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 102ns |
Leistung - max | 94W |
Verpackung / Gehäuse | TO-3PFM, SC-93-3 |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 15 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabetyp | Standard |
IGBT-Typ | Trench Field Stop |
Gate-Ladung | 104nC |
detaillierte Beschreibung | IGBT Trench Field Stop 650V 45A 94W Through Hole TO-3PFM |
Strom - Collector Pulsed (Icm) | 200A |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 45A |