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RGTV00TK65DGC11

Artikelnummer : RGTV00TK65DGC11
Hersteller / Marke : LAPIS Semiconductor
Beschreibung : 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
RoHS Status : Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 10799 pcs
Datenblätte RGTV00TK65DGC11.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 650V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 50A
Testbedingung 400V, 50A, 10 Ohm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C 41ns/142ns
Schaltenergie 1.17mJ (on), 940µJ (off)
Supplier Device-Gehäuse TO-3PFM
Serie -
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 102ns
Leistung - max 94W
Verpackung / Gehäuse TO-3PFM, SC-93-3
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 15 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp Standard
IGBT-Typ Trench Field Stop
Gate-Ladung 104nC
detaillierte Beschreibung IGBT Trench Field Stop 650V 45A 94W Through Hole TO-3PFM
Strom - Collector Pulsed (Icm) 200A
Strom - Kollektor (Ic) (max) 45A
RGTV00TK65DGC11
LAPIS Semiconductor LAPIS Semiconductor Bilder dienen nur als Referenz. Siehe Produktspezifikationen für Produktdetails.
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