Artikelnummer : | RGTH40TS65GC11 |
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Hersteller / Marke : | LAPIS Semiconductor |
Beschreibung : | IGBT 650V 40A 144W TO-247N |
RoHS Status : | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 33367 pcs |
Datenblätte | 1.RGTH40TS65GC11.pdf2.RGTH40TS65GC11.pdf |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 650V |
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 20A |
Testbedingung | 400V, 20A, 10 Ohm, 15V |
Td (ein / aus) bei 25 ° C | 22ns/73ns |
Schaltenergie | - |
Supplier Device-Gehäuse | TO-247N |
Serie | - |
Leistung - max | 144W |
Verpackung | Tube |
Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 15 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabetyp | Standard |
IGBT-Typ | Trench Field Stop |
Gate-Ladung | 40nC |
detaillierte Beschreibung | IGBT Trench Field Stop 650V 40A 144W Through Hole TO-247N |
Strom - Collector Pulsed (Icm) | 80A |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 40A |