Artikelnummer : | RF1005TF6S |
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Hersteller / Marke : | LAPIS Semiconductor |
Beschreibung : | DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM |
RoHS Status : | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 51971 pcs |
Datenblätte | RF1005TF6S.pdf |
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 10A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 600V |
Supplier Device-Gehäuse | TO-220NFM |
Geschwindigkeit | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 40ns |
Verpackung | Tube |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-2 Full Pack |
Betriebstemperatur - Anschluss | 150°C (Max) |
Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Diodentyp | Standard |
detaillierte Beschreibung | Diode Standard 600V 10A Through Hole TO-220NFM |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 10µA @ 600V |
Strom - Richt (Io) | 10A |
Kapazität @ Vr, F | - |