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NXPLQSC10650Q

Artikelnummer : NXPLQSC10650Q
Hersteller / Marke : WeEn Semiconductors Co., Ltd
Beschreibung : DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220AC
RoHS Status :
Verfügbare Menge 19003 pcs
Datenblätte NXPLQSC10650Q.pdf
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.85V @ 10A
Spannung - Sperr (Vr) (max) 650V
Supplier Device-Gehäuse TO-220AC
Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io)
Serie -
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 0ns
Verpackung Tube
Verpackung / Gehäuse TO-220-2
Andere Namen 1740-1223
934070147127
Betriebstemperatur - Anschluss 175°C (Max)
Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Diodentyp Silicon Carbide Schottky
detaillierte Beschreibung Diode Silicon Carbide Schottky 650V 10A Through Hole TO-220AC
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 230µA @ 650V
Strom - Richt (Io) 10A
Kapazität @ Vr, F 250pF @ 1V, 1MHz
NXPLQSC10650Q
WeEn Semiconductors Co., Ltd WeEn Semiconductors Co., Ltd Bilder dienen nur als Referenz. Siehe Produktspezifikationen für Produktdetails.
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