Artikelnummer : | NVMFS6H800NT1G |
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Hersteller / Marke : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Beschreibung : | TRENCH 8 80V NFET |
RoHS Status : | |
Verfügbare Menge | 21340 pcs |
Datenblätte | NVMFS6H800NT1G.pdf |
VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 330µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1 mOhm @ 50A, 10V |
Verlustleistung (max) | 3.8W (Ta), 200W (Tc) |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
Andere Namen | NVMFS6H800NT1G-ND NVMFS6H800NT1GOSTR |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 42 Weeks |
Bleifreier Status | Lead free |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5530pF @ 40V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 85nC @ 10V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 80V |
detaillierte Beschreibung | N-Channel 80V 28A (Ta), 203A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 28A (Ta), 203A (Tc) |