Artikelnummer : | NTZD3155CT1G |
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Hersteller / Marke : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Beschreibung : | MOSFET N/P-CH 20V SOT-563 |
RoHS Status : | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 267941 pcs |
Datenblätte | NTZD3155CT1G.pdf |
VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Supplier Device-Gehäuse | SOT-563 |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550 mOhm @ 540mA, 4.5V |
Leistung - max | 250mW |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | SOT-563, SOT-666 |
Andere Namen | NTZD3155CT1GOSTR |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 46 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 16V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5nC @ 4.5V |
Typ FET | N and P-Channel |
FET-Merkmal | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
detaillierte Beschreibung | Mosfet Array N and P-Channel 20V 540mA, 430mA 250mW Surface Mount SOT-563 |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 540mA, 430mA |
Basisteilenummer | NTZD3155C |