| Artikelnummer : | NTP5411NG |
|---|---|
| Hersteller / Marke : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Beschreibung : | MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB |
| RoHS Status : | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 5615 pcs |
| Datenblätte | NTP5411NG.pdf |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220AB |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 40A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 166W (Tc) |
| Verpackung | Tube |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4500pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| detaillierte Beschreibung | N-Channel 60V 80A (Tc) 166W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 80A (Tc) |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
