Artikelnummer : | NTLUS3A18PZTCG |
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Hersteller / Marke : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Beschreibung : | MOSFET P-CH 20V 8.2A UDFN |
RoHS Status : | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 183825 pcs |
Datenblätte | NTLUS3A18PZTCG.pdf |
VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±8V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 6-UDFN (2x2) |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 7A, 4.5V |
Verlustleistung (max) | 700mW (Ta) |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | 6-UDFN Exposed Pad |
Andere Namen | NTLUS3A18PZTCG-ND NTLUS3A18PZTCGOSTR |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 2 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2240pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 4.5V |
Typ FET | P-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
detaillierte Beschreibung | P-Channel 20V 5.1A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-UDFN (2x2) |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 5.1A (Ta) |