Artikelnummer : | NTF6P02T3G |
---|---|
Hersteller / Marke : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Beschreibung : | MOSFET P-CH 20V 10A SOT223 |
RoHS Status : | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 90013 pcs |
Datenblätte | NTF6P02T3G.pdf |
VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±8V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | SOT-223 |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 6A, 4.5V |
Verlustleistung (max) | 8.3W (Ta) |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | TO-261-4, TO-261AA |
Andere Namen | NTF6P02T3GOS NTF6P02T3GOS-ND NTF6P02T3GOSTR |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 17 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 16V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 4.5V |
Typ FET | P-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
detaillierte Beschreibung | P-Channel 20V 10A (Ta) 8.3W (Ta) Surface Mount SOT-223 |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 10A (Ta) |