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NSVMUN2233T1G

Artikelnummer : NSVMUN2233T1G
Hersteller / Marke : ON Semiconductor
Beschreibung : TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59-3
RoHS Status : Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 648430 pcs
Datenblätte NSVMUN2233T1G.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 100mA
Spannung - Durchschlag SC-59-3
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 50V
Serie -
RoHS Status Tape & Reel (TR)
Widerstand - Emitter-Basis (R2) (Ohm) 4.7k
Widerstand - Base (R1) (Ohm) -
Leistung - max 230mW
Polarisation TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rauschzahl (dB Typ @ f) 47k
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 10 Weeks
Hersteller-Teilenummer NSVMUN2233T1G
Frequenz - Übergang 80 @ 5mA, 10V
Expanded Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 230mW Surface Mount SC-59-3
Beschreibung TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59-3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 500nA
Strom - Collector Cutoff (Max) 250mV @ 1mA, 10mA
Strom - Kollektor (Ic) (max) NPN - Pre-Biased
NSVMUN2233T1G
ON Semiconductor ON Semiconductor Bilder dienen nur als Referenz. Siehe Produktspezifikationen für Produktdetails.
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