| Artikelnummer : | NSBA113EDXV6T1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Beschreibung : | TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 |
| RoHS Status : | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
| Verfügbare Menge | 4238 pcs |
| Datenblätte | NSBA113EDXV6T1.pdf |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
| Transistor-Typ | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Supplier Device-Gehäuse | SOT-563 |
| Serie | - |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | 1 kOhms |
| Widerstand - Basis (R1) | 1 kOhms |
| Leistung - max | 500mW |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | SOT-563, SOT-666 |
| Andere Namen | NSBA113EDXV6T1OS |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Frequenz - Übergang | - |
| detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 3 @ 5mA, 10V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA |
| Basisteilenummer | NSBA1* |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
