| Artikelnummer : | MURTA500120R |
|---|---|
| Hersteller / Marke : | GeneSiC Semiconductor |
| Beschreibung : | DIODE GEN 1.2KV 250A 3 TOWER |
| RoHS Status : | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 480 pcs |
| Datenblätte | MURTA500120R.pdf |
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.6V @ 250A |
| Spannung - Sperr (Vr) (max) | 1200V |
| Supplier Device-Gehäuse | Three Tower |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Serie | - |
| Verpackung | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse | Three Tower |
| Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 4 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Diodentyp | Standard |
| Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Anode |
| detaillierte Beschreibung | Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 1200V 250A Chassis Mount Three Tower |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 25µA @ 1200V |
| Strom - Richt (Io) (pro Diode) | 250A |
GeneSiC Semiconductor
