Artikelnummer : | MUN5113DW1T1G |
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Hersteller / Marke : | ON Semiconductor |
Beschreibung : | TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 |
RoHS Status : | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 1001518 pcs |
Datenblätte | MUN5113DW1T1G.pdf |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 100mA |
Spannung - Durchschlag | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 50V |
Serie | - |
RoHS Status | Tape & Reel (TR) |
Widerstand - Emitter-Basis (R2) (Ohm) | 47k |
Widerstand - Base (R1) (Ohm) | - |
Leistung - max | 250mW |
Polarisation | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Andere Namen | MUN5113DW1T1G-ND MUN5113DW1T1GOSTR |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 47k |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 10 Weeks |
Hersteller-Teilenummer | MUN5113DW1T1G |
Frequenz - Übergang | 80 @ 5mA, 10V |
Expanded Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Beschreibung | TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 500nA |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 250mV @ 300µA, 10mA |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |