Artikelnummer : | MT52L256M64D2QB-125 XT ES:B |
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Hersteller / Marke : | Micron Technology |
Beschreibung : | IC DRAM 16G 800MHZ FBGA |
RoHS Status : | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 1520 pcs |
Datenblätte | |
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | - |
Spannungsversorgung | 1.2V |
Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
Serie | - |
Andere Namen | MT52L256M64D2QB-125 XT ES:B-ND MT52L256M64D2QB-125XTES:B |
Betriebstemperatur | - |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 3 (168 Hours) |
Speichertyp | Volatile |
Speichergröße | 16Gb (256M x 64) |
Speicherschnittstelle | - |
Speicherformat | DRAM |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung | SDRAM - Mobile LPDDR3 Memory IC 16Gb (256M x 64) 800MHz |
Uhrfrequenz | 800MHz |