| Artikelnummer : | MT41J512M4HX-15E:D |
|---|---|
| Hersteller / Marke : | Micron Technology |
| Beschreibung : | IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA |
| RoHS Status : | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 3670 pcs |
| Datenblätte | MT41J512M4HX-15E:D.pdf |
| Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | - |
| Spannungsversorgung | 1.425 V ~ 1.575 V |
| Technologie | SDRAM - DDR3 |
| Supplier Device-Gehäuse | 78-FBGA (9x11.5) |
| Serie | - |
| Verpackung | Tray |
| Verpackung / Gehäuse | 78-TFBGA |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Speichertyp | Volatile |
| Speichergröße | 2Gb (512M x 4) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Speicherformat | DRAM |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| detaillierte Beschreibung | SDRAM - DDR3 Memory IC 2Gb (512M x 4) Parallel 667MHz 13.5ns 78-FBGA (9x11.5) |
| Uhrfrequenz | 667MHz |
| Basisteilenummer | MT41J512M4 |
| Zugriffszeit | 13.5ns |
