| Artikelnummer : | MBR600150CTR |
|---|---|
| Hersteller / Marke : | GeneSiC Semiconductor |
| Beschreibung : | DIODE SCHOTTKY 150V 300A 2 TOWER |
| RoHS Status : | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 439 pcs |
| Datenblätte | MBR600150CTR.pdf |
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 880mV @ 300A |
| Spannung - Sperr (Vr) (max) | 150V |
| Supplier Device-Gehäuse | Twin Tower |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie | - |
| Verpackung | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse | Twin Tower |
| Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 4 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Diodentyp | Schottky |
| Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Anode |
| detaillierte Beschreibung | Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky 150V 300A Chassis Mount Twin Tower |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 3mA @ 150V |
| Strom - Richt (Io) (pro Diode) | 300A |
GeneSiC Semiconductor
