| Artikelnummer : | JAN2N5339 |
|---|---|
| Hersteller / Marke : | Microsemi |
| Beschreibung : | TRANS NPN 100V 5A TO39 |
| RoHS Status : | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
| Verfügbare Menge | 2926 pcs |
| Datenblätte | JAN2N5339.pdf |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 100V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1.2V @ 500mA, 5A |
| Transistor-Typ | NPN |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-39 (TO-205AD) |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/560 |
| Leistung - max | 1W |
| Verpackung | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Andere Namen | 1086-21044 1086-21044-MIL |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 22 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Frequenz - Übergang | - |
| detaillierte Beschreibung | Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 5A 1W Through Hole TO-39 (TO-205AD) |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 60 @ 2A, 2V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 100µA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 5A |
