| Artikelnummer : | J112-D27Z |
|---|---|
| Hersteller / Marke : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Beschreibung : | JFET N-CH 35V 625MW TO92 |
| RoHS Status : | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 368575 pcs |
| Datenblätte | J112-D27Z.pdf |
| Spannung - Cutoff (VGS off) @ Id | 1V @ 1µA |
| Spannung - Durchschlag (V (BR) GSS) | 35V |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-92-3 |
| Serie | - |
| Resistance - RDS (on) | 50 Ohms |
| Leistung - max | 625mW |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Andere Namen | J112-D27ZTR J112_D27Z J112_D27Z-ND J112_D27ZTR J112_D27ZTR-ND |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 6 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Typ FET | N-Channel |
| detaillierte Beschreibung | JFET N-Channel 35V 625mW Through Hole TO-92-3 |
| Strom - Drain (Idss) @ Vds (VGS = 0) | 5mA @ 15V |
| Basisteilenummer | J112 |
