Artikelnummer : | IXFX120N20 |
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Hersteller / Marke : | IXYS Corporation |
Beschreibung : | MOSFET N-CH 200V 120A PLUS247 |
RoHS Status : | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 2240 pcs |
Datenblätte | IXFX120N20.pdf |
VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 8mA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PLUS247™-3 |
Serie | HiPerFET™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17 mOhm @ 60A, 10V |
Verlustleistung (max) | 560W (Tc) |
Verpackung | Tube |
Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 |
Andere Namen | IFX120N20 |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 9100pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 300nC @ 10V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200V |
detaillierte Beschreibung | N-Channel 200V 120A (Tc) 560W (Tc) Through Hole PLUS247™-3 |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 120A (Tc) |