| Artikelnummer : | IRF9952 |
|---|---|
| Hersteller / Marke : | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Beschreibung : | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC |
| RoHS Status : | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
| Verfügbare Menge | 5310 pcs |
| Datenblätte | IRF9952.pdf |
| VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-SO |
| Serie | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 2.2A, 10V |
| Leistung - max | 2W |
| Verpackung | Tube |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Andere Namen | *IRF9952 SP001563782 |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 190pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
| Typ FET | N and P-Channel |
| FET-Merkmal | Logic Level Gate |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| detaillierte Beschreibung | Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.5A, 2.3A 2W Surface Mount 8-SO |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 3.5A, 2.3A |
International Rectifier (Infineon Technologies)
