Artikelnummer : |
IRF3711STRR |
Hersteller / Marke : |
International Rectifier (Infineon Technologies) |
Beschreibung : |
MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK |
RoHS Status : |
Enthält Blei / RoHS nicht konform |
Verfügbare Menge |
4268 pcs |
Datenblätte |
IRF3711STRR.pdf |
VGS (th) (Max) @ Id |
3V @ 250µA |
Vgs (Max) |
±20V |
Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse |
D2PAK |
Serie |
HEXFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
6 mOhm @ 15A, 10V |
Verlustleistung (max) |
3.1W (Ta), 120W (Tc) |
Verpackung |
Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse |
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) |
1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status |
Contains lead / RoHS non-compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
2980pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
44nC @ 4.5V |
Typ FET |
N-Channel |
FET-Merkmal |
- |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) |
4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) |
20V |
detaillierte Beschreibung |
N-Channel 20V 110A (Tc) 3.1W (Ta), 120W (Tc) Surface Mount D2PAK |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C |
110A (Tc) |