| Artikelnummer : | IDT71V25761YSA200BQI |
|---|---|
| Hersteller / Marke : | IDT (Integrated Device Technology) |
| Beschreibung : | IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA |
| RoHS Status : | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
| Verfügbare Menge | 4477 pcs |
| Datenblätte | 1.IDT71V25761YSA200BQI.pdf2.IDT71V25761YSA200BQI.pdf |
| Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | - |
| Spannungsversorgung | 3.135 V ~ 3.465 V |
| Technologie | SRAM - Synchronous |
| Supplier Device-Gehäuse | 165-CABGA (13x15) |
| Serie | - |
| Verpackung | Tray |
| Verpackung / Gehäuse | 165-TBGA |
| Andere Namen | 71V25761YSA200BQI |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Speichertyp | Volatile |
| Speichergröße | 4.5Mb (128K x 36) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Speicherformat | SRAM |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| detaillierte Beschreibung | SRAM - Synchronous Memory IC 4.5Mb (128K x 36) Parallel 200MHz 5ns 165-CABGA (13x15) |
| Uhrfrequenz | 200MHz |
| Basisteilenummer | IDT71V25761 |
| Zugriffszeit | 5ns |
IDT (Integrated Device Technology)
