| Artikelnummer : | GT50J121(Q) |
|---|---|
| Hersteller / Marke : | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Beschreibung : | IGBT 600V 50A 240W TO3P LH |
| RoHS Status : | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 5747 pcs |
| Datenblätte | GT50J121(Q).pdf |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 600V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 50A |
| Testbedingung | 300V, 50A, 13 Ohm, 15V |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 90ns/300ns |
| Schaltenergie | 1.3mJ (on), 1.34mJ (off) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-3P(LH) |
| Serie | - |
| Leistung - max | 240W |
| Verpackung | Tube |
| Verpackung / Gehäuse | TO-3PL |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabetyp | Standard |
| IGBT-Typ | - |
| detaillierte Beschreibung | IGBT 600V 50A 240W Through Hole TO-3P(LH) |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 100A |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 50A |
