Zuhause Produkte Diskrete Halbleiter-Produkte Transistoren-IGBTs-EinzelGT10J312(Q)

GT10J312(Q)

Artikelnummer :	GT10J312(Q)
Hersteller / Marke :	Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :	IGBT 600V 10A 60W TO220SM
RoHS Status :	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	5198 pcs
Datenblätte	GT10J312(Q).pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	600V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic	2.7V @ 15V, 10A
Testbedingung	300V, 10A, 100 Ohm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C	400ns/400ns
Schaltenergie	-
Supplier Device-Gehäuse	TO-220SM
Serie	-
Rückwärts-Erholzeit (Trr)	200ns
Leistung - max	60W
Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp	Standard
IGBT-Typ	-
detaillierte Beschreibung	IGBT 600V 10A 60W Surface Mount TO-220SM
Strom - Collector Pulsed (Icm)	20A
Strom - Kollektor (Ic) (max)	10A
Basisteilenummer	GT10

Toshiba Semiconductor and Storage Bilder dienen nur als Referenz. Siehe Produktspezifikationen für Produktdetails.
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