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FST83100M

Artikelnummer : FST83100M
Hersteller / Marke : GeneSiC Semiconductor
Beschreibung : DIODE MODULE 100V 80A D61-3M
RoHS Status : Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 2980 pcs
Datenblätte 1.FST83100M.pdf2.FST83100M.pdf
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 840mV @ 80A
Spannung - Sperr (Vr) (max) 100V
Supplier Device-Gehäuse D61-3M
Geschwindigkeit Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie -
Verpackung Bulk
Verpackung / Gehäuse D61-3M
Andere Namen FST83100MGN
Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 150°C
Befestigungsart Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 4 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Diodentyp Schottky
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode
detaillierte Beschreibung Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 100V 80A (DC) Chassis Mount D61-3M
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 1.5mA @ 20V
Strom - Richt (Io) (pro Diode) 80A (DC)
FST83100M
GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor Bilder dienen nur als Referenz. Siehe Produktspezifikationen für Produktdetails.
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