| Artikelnummer : | FQPF33N10L |
|---|---|
| Hersteller / Marke : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Beschreibung : | MOSFET N-CH 100V 18A TO-220F |
| RoHS Status : | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 54527 pcs |
| Datenblätte | FQPF33N10L.pdf |
| VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220F |
| Serie | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52 mOhm @ 9A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 41W (Tc) |
| Verpackung | Tube |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 Full Pack |
| Andere Namen | FQPF33N10L-ND FQPF33N10LFS |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 5 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1630pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 5V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| detaillierte Beschreibung | N-Channel 100V 18A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-220F |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 18A (Tc) |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
