Artikelnummer : | FQPF27P06 |
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Hersteller / Marke : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Beschreibung : | MOSFET P-CH 60V 17A TO-220F |
RoHS Status : | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 34307 pcs |
Datenblätte | FQPF27P06.pdf |
VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±25V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-220F |
Serie | QFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 8.5A, 10V |
Verlustleistung (max) | 47W (Tc) |
Verpackung | Tube |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 Full Pack |
Andere Namen | FQPF27P06-ND FQPF27P06FS |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 9 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43nC @ 10V |
Typ FET | P-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
detaillierte Beschreibung | P-Channel 60V 17A (Tc) 47W (Tc) Through Hole TO-220F |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 17A (Tc) |