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FGH40T65SH-F155

Artikelnummer : FGH40T65SH-F155
Hersteller / Marke : AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung : IGBT 650V 80A 268W TO-247-3
RoHS Status : Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 14577 pcs
Datenblätte FGH40T65SH-F155.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 650V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 40A
Testbedingung 400V, 40A, 6 Ohm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C 19.2ns/65.6ns
Schaltenergie 1.01mJ (on), 297µJ (off)
Supplier Device-Gehäuse TO-247 Long Leads
Serie -
Leistung - max 268W
Verpackung Tube
Verpackung / Gehäuse TO-247-3
Andere Namen FGH40T65SH_F155
FGH40T65SH_F155-ND
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp Standard
IGBT-Typ Trench Field Stop
Gate-Ladung 72.2nC
detaillierte Beschreibung IGBT Trench Field Stop 650V 80A 268W Through Hole TO-247 Long Leads
Strom - Collector Pulsed (Icm) 120A
Strom - Kollektor (Ic) (max) 80A
FGH40T65SH-F155
AMI Semiconductor / ON Semiconductor AMI Semiconductor / ON Semiconductor Bilder dienen nur als Referenz. Siehe Produktspezifikationen für Produktdetails.
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