Artikelnummer : | FDT86106LZ |
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Hersteller / Marke : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Beschreibung : | MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT-223-4 |
RoHS Status : | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 55225 pcs |
Datenblätte | 1.FDT86106LZ.pdf2.FDT86106LZ.pdf |
VGS (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | SOT-223-4 |
Serie | PowerTrench® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 108 mOhm @ 3.2A, 10V |
Verlustleistung (max) | 2.2W (Ta) |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | TO-261-4, TO-261AA |
Andere Namen | FDT86106LZ-ND FDT86106LZTR |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 25 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 315pF @ 50V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 10V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
detaillierte Beschreibung | N-Channel 100V 3.2A (Ta) 2.2W (Ta) Surface Mount SOT-223-4 |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 3.2A (Ta) |