| Artikelnummer : | FDME820NZT |
|---|---|
| Hersteller / Marke : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Beschreibung : | MOSFET N-CH 20V 9A MICROFET 1.6 |
| RoHS Status : | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 88624 pcs |
| Datenblätte | FDME820NZT.pdf |
| VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | MicroFet 1.6x1.6 Thin |
| Serie | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 9A, 4.5V |
| Verlustleistung (max) | 2.1W (Ta) |
| Verpackung | Original-Reel® |
| Verpackung / Gehäuse | 6-PowerUFDFN |
| Andere Namen | FDME820NZTDKR |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 39 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 865pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.5nC @ 4.5V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| detaillierte Beschreibung | N-Channel 20V 9A (Ta) 2.1W (Ta) Surface Mount MicroFet 1.6x1.6 Thin |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 9A (Ta) |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
