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EPC2102

Artikelnummer : EPC2102
Hersteller / Marke : EPC
Beschreibung : TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG
RoHS Status : Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 6823 pcs
Datenblätte EPC2102.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 7mA
Supplier Device-Gehäuse Die
Serie eGaN®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.4 mOhm @ 20A, 5V
Leistung - max -
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse Die
Andere Namen 917-1182-2
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 14 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 830pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.8nC @ 5V
Typ FET 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Merkmal GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V
detaillierte Beschreibung Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 23A Surface Mount Die
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 23A
EPC2102
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