Artikelnummer : | EPC2037 |
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Hersteller / Marke : | EPC |
Beschreibung : | TRANS GAN 100V 550MOHM BUMPED DI |
RoHS Status : | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 48633 pcs |
Datenblätte | EPC2037.pdf |
VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 80µA |
Vgs (Max) | +6V, -4V |
Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
Supplier Device-Gehäuse | Die |
Serie | eGaN® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550 mOhm @ 100mA, 5V |
Verlustleistung (max) | - |
Verpackung | Original-Reel® |
Verpackung / Gehäuse | Die |
Andere Namen | 917-1137-6 |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 12 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 14pF @ 50V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.12nC @ 5V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
detaillierte Beschreibung | N-Channel 100V 1.7A (Ta) Surface Mount Die |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 1.7A (Ta) |