| Artikelnummer : | EPC2012CENGR |
|---|---|
| Hersteller / Marke : | EPC |
| Beschreibung : | TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE |
| RoHS Status : | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 30059 pcs |
| Datenblätte | EPC2012CENGR.pdf |
| Spannung - Prüfung | 100pF @ 100V |
| Spannung - Durchschlag | Die Outline (4-Solder Bar) |
| VGS (th) (Max) @ Id | 100 mOhm @ 3A, 5V |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Serie | eGaN® |
| RoHS Status | Tape & Reel (TR) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5A (Ta) |
| Polarisation | Die |
| Andere Namen | 917-EPC2012CENGRTR |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer | EPC2012CENGR |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1nC @ 5V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5V @ 1mA |
| FET-Merkmal | N-Channel |
| Expanded Beschreibung | N-Channel 200V 5A (Ta) Surface Mount Die Outline (4-Solder Bar) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | - |
| Beschreibung | TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 200V |
| Kapazitätsverhältnis | - |
EPC
